中国第3代半导体─碳化硅发明专利数量增速，是全球主要国家当中较快的。（图：新华社）

法国市场研究机构KnowMade最新报告显示，2021至去年间，中国参与者公开的第3代半导体─碳化硅（SiC）发明专利数量增加约60%，是全球主要国家当中增长较快的，同时也是专利申请量最多的，单就去年来看，在全球碳化硅专利申请中，有逾70%都来自中国。

芯智讯报导，中美贸易战的持续影响下，在最近的第3代半导体材料碳化硅专利申请量增长方面也发挥了一定的作用，推动众多企业在全球建立更当地化的碳化硅供应链，尤其是在中国。

KnowMade报告表示，自2021年以来，与碳化硅装置相关的专利申请出现有趣的变化。

2023年公开的碳化硅发明专利数量较2021年高出50%以上，同时，一些专利持有人还扩大其碳化硅发明的覆盖范围。

随著碳化硅功率装置在电动车（EV）中大规模采用的前景，碳化硅公司开始在该产业的战略区域申请愈来愈多的专利。

同时，快速增长的碳化硅市场几家先驱已加速其专利活动，料碳化硅产业将有许多挑战者进入，而“专利可在竞争激烈的环境中维护碳化硅公司的市场地位方面发挥关键作用”。

值得注意的是，中国一直在鼓励企业的专利活动，导致近年出现大量的专利申请。

在2021年至去年期间，中国公告的碳化硅发明专利数量升约60%，是全球主要国家当中增长最快的，也是专利申请量最多的。若仅看去年，在全球碳化硅专利申请当中逾70%都来自中国。

此外，报告进一步指出，参与碳化硅研发活动的中国企业和研究机构数量也在快速上升，自前年来，中国拥有碳化硅衬底专利的公司增加25个，拥有碳化硅装置专利新公司50个。“这种密集的本地生态系统使中国能迅速解决碳化硅晶圆产业的短缺问题。”然而，KnowMade警告，随着碳化硅晶圆供应过剩，中国在碳化硅晶圆市场带来激烈的价格竞争，这也为碳化硅晶圆供应商提供更有理由利用专利来对抗其主要竞争对手。

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