中“7纳米”晶片技术获专利外媒：将迎头赶上光华日报

中国在先进晶片制造领域正逐渐缩小与西方的差距。外媒报导，上海微电子装备（集团）股份有限公司日前公布了一系列制造7纳米以下晶片关键能力的专利，该消息也得到了德国等海外专业媒体的注意，称中国在晶片领域正在迎头赶上。

德国之声引述包括“芯智讯”在内的网络媒体报导称，中国国家智慧财产权局于10日披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，内容涉及极紫外辐射（EUV）发生装置及光刻设备，申请者为上海微电子装备（集团）股份有限公司。

报导指，EUV光刻技术是一种先进的晶片制造技术，可以在半导体晶圆上绘制极其精细的电路，从而生产出更小、更强大的晶片。这项技术使用极紫外光（EUV）作为光源，比传统光刻技术能实现更高的精度。拥有EUV光刻技术专利意味著掌握了制造7纳米以下晶片的关键能力。

据相关报导，上海微电子此次披露的专利主要涉及EUV光源和光刻设备，其中重点的极紫外辐射发生器（光源）主要包括腔体、靶材发生器、雷射发生器、收集镜、电极板、气控零件等关键零件。

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该消息也引起了德国科技时政类媒体Telepolis的关注。该媒体近日报导称，中国在晶片领域正在迎头赶上。

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报导认为，中国的技术进步几乎势不可挡。中国光刻设备市场99％的份额由荷兰艾司摩尔（AMSL）及日本的尼康和佳能控制。只有艾司摩尔生产7纳米以下晶片的设备。然而，艾司摩尔在为中国客户提供服务方面面临压力，中国是其仅次于台湾的第2大市场。

根据2023年年报，艾司摩尔仅能满足中国订单的50％。据香港《南华早报》报导，自9月6日起，艾司摩尔在中国提供零件、软体更新和系统维护需要获得荷兰许可证。此前，需在美国获得出口许可。