小米所研制的晶片性能与美国高通的骁龙8 Gen1相近。
中国智能手机制造商小米自研晶片据传将于明年问世，将采用台积电第2代4纳米制程。
综合网媒“快科技”和“IT之家”报道，小米旗下的集成电路设计公司玄戒研发的晶片预计明年上半年正式量产，预计这款晶片将采用台积电N4P（第2代4纳米）工艺制程。
据报道，这款晶片性能与美国高通的骁龙8 Gen1相近，使用紫光展锐5G调制解调器。
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据台湾《经济日报》报道，虽然华盛顿限制华为等中国大陆企业委托台积电代工晶片制造，但小米未在限制名单之中，只是依然无法采用台积电的最先进制程。
台积电已规划在明年下半年量产最先进的2纳米制程，届时N4P制程已落后3代。
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报道称，从市场定位来看，如果小米自研处理器采用N4P制程，且性能达到高通骁龙8水准，那么这款晶片可能会用于小米／Redmi的中高端机型上。
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